(绝缘栅双极晶体管) 是两种常见的功率半导体器材。它们在不同的使用场景中具有不同的特色和优势。本文将对MOSFET和IGBT进行翔实、详实、详尽的比较剖析。

　　MOSFET和IGBT都是用于功率电子范畴的半导体器材。它们的首要差异在于结构和作业原理。

　　MOSFET：MOSFET是一种由金属氧化物绝缘体（MOS）构成的双极性晶体管。它由源极、漏极和栅极组成。在MOSFET中，源极和漏极之间的

　　IGBT：IGBT是一种通过结合MOSFET和双极型晶体管的特色，以到达高阻抗操控和低敞开电压的功率晶体管。IGBT有三个极：发射极、集电极和栅极。它将栅极的操控转换为集电极与发射极之间的电压。

　　接下来，咱们将比较MOSFET和IGBT在不同方面的功能，以了解它们的特色。

　　综上所述，MOSFET和IGBT在不同的使用场景中具有不同的特色和优势。MOSFET适用于低电压、高频率的使用，具有快速开关、低功率损耗和高效率等优势；而IGBT适用于高电压、高电流和低频率的使用，具有高电压承受能力、较好的热稳定性和高可靠性等优势。

　　体二极管，当对应的开关管导通时二极管有电流通过，因此二极管的康复特性决议了Eon损耗。所以，挑选

　　、Hybrid MOS的特征比较图Kaiyun体育。如V-I特性所示，Hybrid MOS在低电流规模

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　　使用于开关电源,镇流器,高频感应加热；高频逆变焊机；通讯电源等等高频电源范畴；

　　的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，可是基极上的电流是无用的。

　　危险，装备适宜的短路维护电路，能够有用削减开关器材在使用过程中因短路而形成的损坏。与硅

　　，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (